Al系III族窒化物結晶の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中山亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-109073
公開番号（公開出願番号）：特開2008-270401
出願日： 2007年04月18日
公開日（公表日）： 2008年11月06日
要約：

【課題】純度の高いAl系III族窒化物結晶を低コストで提供する。【解決手段】〔1〕ハロゲンガスを含むAl原料とアンモニアを含む窒素原料を結晶表面で反応させるAl系III族窒化物の製造方法。〔2〕前記ハロゲンガスが塩素である〔1〕記載のAl系III族窒化物の製造方法。〔3〕前記Al原料がAlCl3である〔1〕または〔2〕記載のAl系III族窒化物の製造方法。〔4〕前記Al系III族窒化物がAlNである〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載のAl系III族窒化物の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ハロゲンガスを含むAl原料とアンモニアを含む窒素原料を結晶表面で反応させることを特徴とするAl系III族窒化物の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C30B 29/38 , C30B 25/10

FI (3件)：

H01L21/205 , C30B29/38 C , C30B25/10

Fターム (36件)：

4G077AA02 , 4G077BE13 , 4G077DB05 , 4G077EA02 , 4G077EA06 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TA01 , 4G077TA04 , 4G077TA07 , 4G077TA08 , 4G077TB04 , 4G077TC01 , 4G077TC06 , 4G077TJ03 , 5F045AA03 , 5F045AB09 , 5F045AC03 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AD17 , 5F045AD18 , 5F045AF02 , 5F045AF04 , 5F045BB04 , 5F045BB09 , 5F045BB14 , 5F045CA07 , 5F045CA10 , 5F045DP03 , 5F045DP28 , 5F045DQ05 , 5F045EC02 , 5F045EK11 , 5F045EM10

引用特許：

出願人引用 (1件)

窒化ガリウム半導体単結晶基板の製造方法並びにその基板を用いた窒化ガリウムダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-335580 出願人：エルジー電子株式会社

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