特許
J-GLOBAL ID：200903053368218105

窒化ガリウム半導体単結晶基板の製造方法並びにその基板を用いた窒化ガリウムダイオード

発明者：
チャン・ヒ・ホン

チャン・ヒ・ホン について

, 
ション・テ・キム

ション・テ・キム について


出願人/特許権者：
エルジー電子株式会社

エルジー電子株式会社 について


代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-335580
公開番号（公開出願番号）：特開平11-001399
出願日： 1997年12月05日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：
【要約】【課題】 製造工程が短く、結晶欠陥の密度が小さく、光素子製造に充分なサイズを有する窒化ガリウム単結晶基板の製造方法を提供する。【解決手段】 酸化物基板を前処理し、その酸化物基板上に窒化ガリウムを成長させて一定の厚さの1次の窒化ガリウム層を形成し、その1次のガリウム層の成長された酸化物基板を研磨して酸化物基板の一部を除去し、1次の窒化ガリウム層上に2次の窒化ガリウム層を成長させ、酸化物基板を再度研磨して除去し、その酸化物基板が完全に除去された1次及び2次の窒化ガリウム層上に再び所定の厚さの窒化ガリウム層を成長させて窒化ガリウム半導体バルク単結晶を成長させる。窒化ガリウム半導体単結晶を研磨して所定の厚さの鏡面処理の窒化ガリウム基板を作る。
請求項（抜粋）：
酸化物基板を前処理する第1工程と、前処理された酸化物基板上に1次の窒化ガリウム層を成長させる第2工程と、1次のガリウム層の成長された酸化物基板を研磨して基板の一部を除去する第3工程と、1次の窒化ガリウム層上に再度窒化ガリウムを成長させて2次の窒化ガリウム層を形成する第4工程と、酸化物基板を再度研磨して残っていた酸化物基板を除去する第5工程と、酸化物基板が完全に除去されて残った1次及び2次の窒化ガリウム層上に3次の窒化ガリウム層を成長させて窒化ガリウム半導体バルク単結晶を形成する第6工程と、窒化ガリウム半導体単結晶を研磨して鏡面処理された窒化ガリウム基板を作る第7工程と、を備えることを特徴とする窒化ガリウム単結晶基板の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/40 502 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
C30B 29/40 502 L ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
引用特許：
審査官引用 (8件)
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