特許
J-GLOBAL ID：200903010643008530

半導体ウエーハの薄型化方法及び薄型半導体ウエーハ

発明者：
岡田 守

岡田 守 について

, 
中嶋 幸夫

中嶋 幸夫 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について

, 
長野電子工業株式会社

長野電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-143043
公開番号（公開出願番号）：特開2001-326206
出願日： 2000年05月16日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：
【要約】【課題】 厚さが120μm程度あるいはそれ以下の半導体ウエーハを、加工工程等におけるワレ、欠け等の破損を極力発生させることなく低コストで作製することのできる半導体ウエーハの薄型化方法、及び6インチ以上の大口径でありながら従来のものよりさらに薄型化された半導体ウエーハを提供する【解決手段】 表面に半導体素子2が形成されている半導体ウエーハの裏面を研削することにより薄型化する方法において、前記半導体ウエーハ1の表面を接着層3を介して支持体4に貼り合わせ、該支持体を保持した状態で前記半導体ウエーハの裏面を研削した後、該薄型化された半導体ウエーハを前記支持体から剥離する。好ましくは、支持体として半導体ウエーハ、接着層として熱剥離性両面接着シートを使用し、研削後、加熱剥離する。
請求項（抜粋）：
表面に半導体素子が形成されている半導体ウエーハの裏面を研削することにより薄型化する方法において、前記半導体ウエーハの表面を接着層を介して支持体に貼り合わせ、該支持体を保持した状態で前記半導体ウエーハの裏面を研削した後、該薄型化された半導体ウエーハを前記支持体から剥離することを特徴とする半導体ウエーハの薄型化方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 631 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/04
FI (4件)：
H01L 21/304 631 ,  H01L 21/304 622 J ,  H01L 21/304 622 L ,  B24B 37/04 J
Fターム (7件)：
3C058AB04 ,  3C058BA02 ,  3C058BA07 ,  3C058CB03 ,  3C058CB05 ,  3C058CB10 ,  3C058DA17
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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