任意に大きい直径を有する無欠陥シリコン結晶の成長方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-557021
公開番号（公開出願番号）：特表2003-517412
出願日： 1999年06月25日
公開日（公表日）： 2003年05月27日
要約：

【要約】凝集真性点欠陥を実質的に有さない単結晶シリコンインゴット成長させる方法。インゴットは一般に、チョクラルスキー法によって成長させる。インゴットが成長している間に、インゴットにおける真性点欠陥の凝集が起こる温度TAより低い温度にインゴットのどの部分も冷却しない。従って、無欠陥インゴットの製造が、引き取り速度のような工程パラメーター、およびインゴットにおける軸方向温度勾配のような系パラメーターから実質的に切り離される。

請求項（抜粋）：

シードコーン、エンドコーン、およびシードコーンとエンドコーンの間の定直径部分を有する単結晶シリコンインゴットの製造法であって、該インゴットが、チョクラルスキー法によってシリコンメルトから成長され、該方法が、シリコンメルトからインゴットを成長させ、および、インゴットの少なくとも定直径部分が凝集真性点欠陥を実質的に有さないように、インゴットが成長している間に、インゴットにおける真性点欠陥の凝集が起こる温度TAより低い温度に、インゴットのどの部分も冷却しないように、インゴットの温度を調節することを含んで成る方法。

IPC (4件)：

C30B 29/06 502 , C30B 29/06 , C30B 15/00 , C30B 15/20

FI (4件)：

C30B 29/06 502 H , C30B 29/06 502 J , C30B 15/00 Z , C30B 15/20

Fターム (7件)：

4G077AA02 , 4G077BA04 , 4G077CF10 , 4G077EH09 , 4G077FE18 , 4G077PA10 , 4G077PF55

引用特許：

出願人引用 (7件)

特開平2-180789
特開平4-108682
単結晶を引上げる装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-084755 出願人：バルツァースウントライボルトドイチュラントホールディングアクチエンゲゼルシャフト

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