特許

J-GLOBAL ID：200903074766483800

結晶欠陥の少ないシリコン単結晶及びその製造方法

発明者： 高野 清隆 ,  北川 幸司 ,  飯野 栄一 ,  木村 雅規 ,  山岸 浩利 ,  桜田 昌弘
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 山本 亮一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-143391
公開番号（公開出願番号）：特開平8-337490
出願日： 1995年06月09日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 酸化膜耐圧の高い、チョクラルスキー法によるシリコン単結晶を高生産性で得る。【構成】 チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を製造する場合において、育成されるシリコン単結晶が結晶成長時にシリコンの融点から 1,200°Cまでの温度域を通過する時間が 190分以下となるようにし、 1,150°Cから 1,080°Cまでの温度域を通過する時間が60分以上となるようにすることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法、および、この方法によって製造された結晶欠陥の少ないシリコン単結晶。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を製造する場合において、育成されるシリコン単結晶が結晶成長時に、 1,150°Cから 1,080°Cまでの温度域を通過する時間が60分以上となるようにすることを特徴とする、シリコン単結晶の製造方法。

IPC (5件)：

C30B 15/00 ,  C30B 15/20 ,  C30B 29/06 502 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/208

FI (5件)：

C30B 15/00 Z ,  C30B 15/20 ,  C30B 29/06 502 E ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/208 P

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体単結晶およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-017674   出願人：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社