特許
J-GLOBAL ID：200903010650408129

カーボンナノチューブ相互接続コンタクト

発明者：
グストレイン、フロリアン

グストレイン、フロリアン について

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ラヴォア、アドリアン

ラヴォア、アドリアン について

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ドゥービン、バレリー

ドゥービン、バレリー について


出願人/特許権者：
インテル・コーポレーション

インテル・コーポレーション について


代理人 (1件)： 龍華 明裕
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-515889
公開番号（公開出願番号）：特表2008-544495
出願日： 2006年06月06日
公開日（公表日）： 2008年12月04日
要約：
半導体基板上の相互接続を形成する方法であって、トレンチ内に少なくとも1つのカーボンナノチューブ(304)を設ける工程と、開口部(602)を生成する目的で、カーボンナノチューブの少なくとも1つの部分をエッチングする工程と、開口部を介して、カーボンナノチューブ上に金属層を共形的に堆積する工程と、カーボンナノチューブと十分に結合した金属コンタクト(308)を開口部に形成する工程とを含む方法。金属層は、原子層堆積プロセス又は無電解めっきプロセスを用いることによって、カーボンナノチューブ上に共形的に堆積されても良い。カーボンナノチューブ内の空隙を十分に満たす目的で、複数の金属層が堆積されても良い。無電解めっきプロセスには、めっき溶液に対しての媒介物として、超臨海液体が用いられても良い。カーボンナノチューブの親水性を高める目的で、無電解めっきプロセスの前に、カーボンナノチューブのぬれ挙動を改善しても良い。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
一のトレンチ内に少なくとも1つのカーボンナノチューブを設ける工程と、 一の開口部を生成する目的で、前記カーボンナノチューブの少なくとも1つの部分をエッチングする工程と、 前記開口部を介して、前記カーボンナノチューブ上に一の金属層を共形的に堆積する工程と、 前記カーボンナノチューブと十分に結合した一の金属コンタクトを前記開口部に形成する工程とを含む方法。
IPC (3件)：
H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  C01B 31/02
FI (2件)：
H01L21/88 M ,  C01B31/02 101F
Fターム (27件)：
4G146AA11 ,  4G146AA12 ,  4G146AB07 ,  4G146AD22 ,  4G146CB12 ,  4G146CB13 ,  4G146CB17 ,  4G146CB22 ,  4G146CB35 ,  4G146CB37 ,  5F033HH00 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH18 ,  5F033MM01 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR11
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)
引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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