特許

J-GLOBAL ID：200903010662230520

光電変換装置及びその駆動方法

発明者： 亀島 登志男 ,  小林 功 ,  海部 紀之 ,  遠藤 豊 ,  小倉 隆 ,  野中 秀樹
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-343144
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189934
出願日： 1996年12月24日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】 S/N比が高く、特性が安定、TFTと同一プロセスで形成可能とし、読み出し速度の高速化を達成することを課題とする。【解決手段】 絶縁基板上に、第1の電極層と、正負の異なる第1、第2のキャリアの通過を阻止する絶縁層と、半導体層と、第1キャリア注入阻止層と、第2の電極層とを積層した光電変換素子と、更に、第1、第2の主電極を有するスイッチ素子と、制御可能な電源と、読み出し回路とを備え、前記光電変換素子の第1の電極層と前記スイッチ素子の第1の主電極を接続し、前記光電変換素子の第2の電極を前記電源に接続し、前記スイッチ素子の第2の主電極を前記読み出し回路に接続した光電変換装置において、前記光電変換素子の第2電極に対し、前記電源より前記第1のキャリアを前記半導体層から第2電極に導く方向に電界を印加するリフレッシュ駆動の際に、前記スイッチ素子を導通させ、前記光電変換素子の第1電極側の電位を固定させることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に、第1の電極層と、正負の異なる第1、第2のキャリアの通過を阻止する絶縁層と、半導体層と、第1キャリア注入阻止層と、第2の電極層とを積層した光電変換素子と、更に、第1、第2の主電極を有するスイッチ素子と、制御可能な電源と、読み出し回路とを備え、前記光電変換素子の第1の電極層と前記スイッチ素子の第1の主電極を接続し、前記光電変換素子の第2の電極を前記電源に接続し、前記スイッチ素子の第2の主電極を前記読み出し回路に接続した光電変換装置において、前記光電変換素子の第2の電極層に対し、前記電源より前記第1のキャリアを前記半導体層から前記第2の電極層に導く方向に電界を印加するリフレッシュ駆動の際に、前記スイッチ素子を導通させ、前記光電変換素子の第1の電極層側の電位を固定させることを特徴とする光電変換装置。

IPC (4件)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/04 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335

FI (5件)：

H01L 27/14 C ,  H04N 5/335 F ,  H04N 5/335 U ,  H01L 31/04 ,  H01L 31/10 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 光電変換装置、その駆動方法及びそれを有するシステム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-313392   出願人：キヤノン株式会社
• 画像入出力装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-207954   出願人：キヤノン株式会社