電力用半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：日向寺雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-184910
公開番号（公開出願番号）：特開2009-021526
出願日： 2007年07月13日
公開日（公表日）： 2009年01月29日
要約：

【課題】熱ストレスが小さく、ガードリング拡散層が浅いため終端長が短く、ガードリング拡散層の深さのばらつきが小さく、微細な素子構造の加工プロセス難度が低く、損失が低い電力用半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】トレンチゲート電極3が形成された素子領域51及び素子領域51を囲む終端領域52が設定された電力用半導体装置101において、シリコン単結晶基板1上における終端領域52に、耐圧用絶縁膜として改質シリコン酸化膜11を設ける。改質シリコン酸化膜11は、CVD法によりシリコン酸化物を堆積した後、温度が800度以上、時間が30分間以上の熱処理を施して、膜質を改質(Densify)することにより形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート電極が形成された素子領域及び前記素子領域を囲む終端領域が設定された電力用半導体装置であって、シリコン基板と、前記シリコン基板上における少なくとも前記終端領域に設けられ、CVD法によりシリコン酸化物が堆積された後、温度が800度以上、時間が30分間以上の熱処理が施されて形成され、シリコンに対してN型又はP型のドーパントとなる不純物を実質的に含有していないシリコン酸化膜と、を備えたことを特徴とする電力用半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 29/739

FI (3件)：

H01L29/78 658F , H01L29/78 653A , H01L29/78 655F

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-423339 出願人：三洋電機株式会社, 岐阜三洋電子株式会社

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