半導体装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：岡田敬 , 須藤克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-423339
公開番号（公開出願番号）：特開2005-183719
出願日： 2003年12月19日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：

【課題】従来での半導体装置では、ガードリング領域において、空乏層形状が歪められ、安定した耐圧特性が得られないという問題があった。【解決手段】本発明の半導体装置では、実動作領域の熱酸化膜25とガードリング領域の熱酸化膜26とを同一工程で形成する。そして、熱酸化膜25は、一度除去された後、再び、形成されることで、ガードリング領域の熱酸化膜26の膜厚は、例えば、8000〜10000Å程度の膜厚で形成される。そのことで、可動イオン31が含まれるCVD酸化膜27は、エピタキシャル層2表面から離れた位置に形成され、可動イオン31の影響による空乏層の歪みを抑え、所望の耐圧特性を維持することができる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

複数のセルが形成される実動作領域と該実動作領域の周囲に配置されたガードリング領域とを有する半導体層と、前記半導体層表面から前記実動作領域と前記ガードリング領域との境界を形成する拡散領域と、前記半導体層表面に形成される熱酸化膜と、該熱酸化膜上面に形成されるCVD酸化膜とを有し、前記熱酸化膜はその膜厚の異なる第1の熱酸化膜と第2の熱酸化膜から成り、前記第2の熱酸化膜は前記第1の熱酸化膜よりもその膜厚が厚く、前記第2の熱酸化膜は前記ガードリング領域上面に形成されることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L29/80 , H01L29/06 , H01L29/78

FI (5件)：

H01L29/80 V , H01L29/06 301V , H01L29/78 652P , H01L29/78 653A , H01L29/78 654Z

Fターム (7件)：

5F102FA01 , 5F102FB01 , 5F102GB04 , 5F102GC07 , 5F102GC08 , 5F102GD04 , 5F102GJ03

引用特許：

出願人引用 (2件)

特許番号第2950025号公報(第3-4頁、第1-3図)
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-057804 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (2件)

特開平4-256372
特開平3-252167

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