特許

J-GLOBAL ID：200903010674889381

半導体装置の製造方法

発明者： 和田 純一 ,  嶋 昇平
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-267428
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097279
出願日： 1994年10月31日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】接続孔のアスペクト比が1を越えても、段切れを招かない配線の形成方法を提供すること。【構成】シリコン基板11上に酸化膜12を形成する工程と、酸化膜12にアスペクト比が1を越える接続孔13を形成する工程と、バイアススパッタリング法によりAl配線膜15を全面に形成するとともに、シリコン基板11を加熱してAl配線導電膜15を接続孔13に流動せしめて埋め込む工程と、Al配線膜を加工してAl配線を形成する工程とを備えている。

請求項（抜粋）：

基板上に絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜にアスペクト比が1を越える接続孔を形成する工程と、バイアススパッタリング法により導電膜を全面に形成するとともに、前記基板を加熱して前記導電膜を前記接続孔に流動せしめて埋め込む工程と、前記導電膜を加工して配線を形成する工程とを有してなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-003965
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-319551   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-003964
  
• 特開平2-166730