分子性汚染物質の蒸着装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：萩原誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-334286
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186057
出願日： 1996年12月13日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】【課題】半導体の製造工程で発生する汚染物質を物質別、濃度別にウェーハ上に蒸着させて、汚染物質によるウェーハ不良の原因糾明と発生メカニズム解析を可能とし、汚染制御水準と汚染物質の工程影響限界値を設定可能とすること。【解決手段】半導体ウェーハに汚染物質を反応させる反応チャンバ50と、汚染物質ガスのガス発生手段10と、水蒸気を生成し一定温度に制御する湿気発生手段20と、ガス発生手段10からのガスと湿気発生手段20からの一定温度の湿気とを混合するミキシング手段30と、このミキシング手段30で湿気と混合されたガスを反応チャンバ50内に供給するガス噴射手段40と、反応工程中は反応チャンバ50内部を真空に維持し、かつ、反応工程完了後に反応チャンバ50内部から残留ガスを排気させる排気手段60と、反応工程開始前の反応チャンバ50内に残存する汚染物質を除去するクリーン手段70とを設ける構成とした。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハに汚染物質を反応させる反応チャンバと、汚染物質であるソースガスを提供するガス発生手段と、水蒸気を生成し一定の温度に制御して供給する湿気発生手段と、前記ガス発生手段から供給されるソースガスと前記湿気発生手段から供給される一定温度の湿気とを混合するミキシング手段と、前記ミキシング手段で湿気と混合されたソースガスを前記反応チャンバ内に供給するガス噴射手段と、反応工程進行の際には前記反応チャンバ内部を真空に維持し、かつ、反応工程完了の際には前記反応チャンバ内部から残留ガスを排気させる排気部と、反応工程開始前の前記反応チャンバ内に残存する汚染物質を除去するクリーン手段とからなることを特徴とする分子性汚染物質の蒸着装置。

IPC (2件)：

H01L 21/02 , G01N 21/88

FI (3件)：

H01L 21/02 Z , H01L 21/02 D , G01N 21/88 E

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-107271 出願人：富士通株式会社, 富士通ヴイエルエスアイ株式会社

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