特許

J-GLOBAL ID：200903010691410952

半導体装置およびその製造方法

発明者： 川井 健治
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-329284
公開番号（公開出願番号）：特開2007-141889
出願日： 2005年11月14日
公開日（公表日）： 2007年06月07日
要約：

【課題】Pチャネル電界効果トランジスタとNチャネル電界効果トランジスタとを有し、これらの電界効果トランジスタの高性能化を図り易い半導体装置の製造方法を得ること。【解決手段】形成しようとする電界効果トランジスタ毎に、ゲート絶縁膜11,21とポリシリコン電極63a,63bとキャップ膜65a,65bとがこの順で積層された積層体を半導体基板10上に形成した後、各ポリシリコン電極の線幅方向両側面に直接、またはオフセットスペーサ膜15,25を介してサイドウォールスペーサ17,27を形成し、各キャップ膜の上面を含む平面に上面が位置する層間絶縁膜73aを形成してからこれらのキャップ膜を除去して各ポリシリコン電極の上面を露出させ、その上に第1金属層75aまたは第2金属層79を形成した後に該金属層によりその下のポリシリコン電極全体をシリサイド化して、互いに異なる金属のシリサイドからなるゲート電極を形成する。【選択図】 図9-5

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成されたPチャネル電界効果トランジスタと、前記半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成されたNチャネル電界効果トランジスタとを備えた半導体装置であって、 前記Pチャネル電界効果トランジスタのゲート電極全体が第1の金属のシリサイドからなると共に、前記Nチャネル電界効果トランジスタのゲート電極全体が前記第1の金属よりも仕事関数が小さい第2の金属のシリサイドからなり、該ゲート電極それぞれの線幅方向両側面に、前記ゲート絶縁膜に接して形成されたシリコン系絶縁膜からなるオフセットスペーサ膜を介して、または直接、サイドウォールスペーサが形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49

FI (4件)：

H01L27/08 321D ,  H01L29/78 301G ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/58 G

Fターム (88件)：

4M104AA01 ,  4M104BB18 ,  4M104BB19 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB23 ,  4M104BB24 ,  4M104BB28 ,  4M104BB36 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD33 ,  4M104DD43 ,  4M104DD55 ,  4M104DD63 ,  4M104DD71 ,  4M104DD84 ,  4M104EE03 ,  4M104EE09 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH20 ,  5F048AC03 ,  5F048BA02 ,  5F048BB08 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB14 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA23 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F140AA06 ,  5F140AA11 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140BC06 ,  5F140BD04 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BD17 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF08 ,  5F140BG03 ,  5F140BG09 ,  5F140BG10 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG22 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG34 ,  5F140BG38 ,  5F140BG40 ,  5F140BG45 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK26 ,  5F140BK28 ,  5F140BK29 ,  5F140CA03 ,  5F140CB01 ,  5F140CB08 ,  5F140CC03 ,  5F140CE07

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 絶縁ゲート型電界効果トランジスタを含む半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-322094   出願人：株式会社東芝