特許

J-GLOBAL ID：200903054157174892

絶縁ゲート型電界効果トランジスタを含む半導体装置及びその製造方法

発明者： 松尾 浩司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-322094
公開番号（公開出願番号）：特開2004-158593
出願日： 2002年11月06日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：

【課題】しきい値電圧の制御が容易で、かつ、ゲート絶縁膜の信頼性が優れたゲート構造を備えた絶縁ゲート型MISFETを含む半導体装置とその製造方法を提供することにある。【解決手段】NチャネルMISFET領域とPチャネルMISFET領域とを形成し、NチャネルMISFETのゲート電極として第1の金属シリサイド膜115を、PチャネルMISFETのゲート電極として第2の金属シリサイド膜119をもつ構造とする。先ず、第1の金属シリサイド膜115をゲート電極領域に形成した後、PチャネルMISFET領域に第1の金属膜117を形成する。続いて熱処理を行うと、PチャネルMISFETのゲート電極上に形成された第1の金属膜117がその下の第1の金属シリサイド膜115と固相反応を起し、PチャネルMISFETのゲート電極は第2の金属シリサイド膜119に変換される。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

半導体基体と、 前記半導体基体に設けられ第1及び第2の素子領域を囲む素子分離領域と、 前記第1の素子領域に形成されると共に、少なくともゲート電極膜におけるゲート絶縁膜に接する領域が、第1の金属シリサイドで構成されたNチャネル電界効果トランジスタと、 前記第2の素子領域に形成されると共に、ゲート電極膜が、前記第1の金属シリサイドを構成する金属とは異なる金属からなる第2の金属シリサイドと、前記第1の金属シリサイドの構成材料である金属及び前記第1の金属シリサイドと同じ構成材料であり、かつ、前記第1の金属シリサイドよりもシリコン含有量が少ない第3の金属シリサイドから選ばれる少なくとも一方とから構成されたPチャネル電界効果トランジスタを有し、 前記Nチャネル電界効果トランジスタのゲート電極膜の仕事関数が、前記Pチャネル電界効果トランジスタのゲート電極膜の仕事関数よりも小さいことを特徴とする絶縁ゲート型電界効果トランジスタを含む半導体装置。

IPC (8件)：

H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

FI (9件)：

H01L27/08 321D ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 301P ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 613A ,  H01L27/08 321E ,  H01L29/58 G ,  H01L29/78 616A

Fターム (152件)：

4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB19 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB23 ,  4M104BB24 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104BB27 ,  4M104BB28 ,  4M104BB38 ,  4M104CC05 ,  4M104DD03 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD75 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104DD84 ,  4M104EE03 ,  4M104EE09 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104GG10 ,  5F048AA01 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA16 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB13 ,  5F048BB14 ,  5F048BC01 ,  5F048BC06 ,  5F048BD04 ,  5F048BE03 ,  5F048BF01 ,  5F048BF02 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BG12 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F110AA08 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE05 ,  5F110EE12 ,  5F110EE22 ,  5F110EE32 ,  5F110EE38 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG31 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110HK40 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HM02 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110NN62 ,  5F110NN66 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ19 ,  5F140AA06 ,  5F140AA26 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140BA01 ,  5F140BC06 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF08 ,  5F140BF09 ,  5F140BF32 ,  5F140BF37 ,  5F140BF38 ,  5F140BF40 ,  5F140BG04 ,  5F140BG05 ,  5F140BG09 ,  5F140BG11 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG36 ,  5F140BG40 ,  5F140BG41 ,  5F140BG44 ,  5F140BG45 ,  5F140BG46 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BG58 ,  5F140BH06 ,  5F140BH14 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK02 ,  5F140BK05 ,  5F140BK13 ,  5F140BK16 ,  5F140BK18 ,  5F140BK21 ,  5F140BK23 ,  5F140BK25 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140BK38 ,  5F140BK39 ,  5F140CA03 ,  5F140CA10 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC03 ,  5F140CE07 ,  5F140CE08 ,  5F140CF04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-124405   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-266786   出願人：ソニー株式会社
• ゲート電極の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-025220   出願人：ソニー株式会社