特許
J-GLOBAL ID：200903010697096397
半導体装置及びその製造方法,並びに半導体集積回路装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-120323
公開番号（公開出願番号）：特開平9-307072
出願日： 1996年05月15日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：
【要約】【課題】ゲート絶縁膜の一部に強誘電体を用いた電界効果トランジスタにおいて、残留分極を効率的に利用する。【解決手段】 ゲート絶縁膜内の強誘電体膜7と半導体基板3の表面との距離を均一にする。このため強誘電体膜7の面積全体を有効活用でき、信号電圧切断後の電流は、強誘電体領域が狭くなっても急激に減少することがない。
請求項（抜粋）：
ソース拡散層及びドレイン拡散層と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜とを半導体基板に有する半導体装置であって、ソース拡散層及びドレイン拡散層は、チャネル域により分離されて形成されたものであり、ゲート電極は、ゲート絶縁膜を介して前記チャネル域上に形成されたものであり、前記ゲート絶縁膜は、その一部が強誘電体にて構成され、ゲート電極の下方に位置する強誘電体の主に分極する全領域は、素子形成領域内の半導体基板とは均一な距離に配置されたものであることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 27/10 451
, G11B 5/024
, H01L 29/43
, H01L 29/78
, H01L 41/22
H01L 27/10 451
, G11B 5/024
, H01L 29/62 G
, H01L 29/78 301 G
, H01L 41/22 B
