特許
J-GLOBAL ID:200903010730763949

変換回路装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中村 稔 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-289756
公開番号(公開出願番号):特開平9-182460
出願日: 1996年10月31日
公開日(公表日): 1997年07月11日
要約:
【要約】【課題】いかなる保護回路も必要としないで、半導体パワースイッチを動作することが可能な変換回路を提供する。【解決手段】本発明の変換回路装置(1)の典型的な実施の形態が図示されている。サイリスタ(GTOs)がハード駆動される結果として、逆並列接続ダイオード(D1,D2)は2kV/ms から10kV/ms の逆電流応答dV/dt を有し、低インダクタンスのフリーホイール回路(2)がDC電源(Uzk)とGTOs間に備えられている。GTOsと逆並列接続ダイオード(D1,D2)は保護回路なしで動作することがでる。
請求項(抜粋):
ターンオフすることができる偶数の直列接続されたサイリスタ(GTO1,GTO2)で少なくとも1つのパスを有し、且つ前記サイリスタと逆並列に接続された逆並列接続ダイオード(D1,D2)を有し、前記パス或いは各パスはDC電源(Uzk) および負荷接続を形成する前記パスあるいは各パスの中央の共通ノードに接続される変換回路装置において、-ターンオフすることができる前記サイリスタ(GTO1,GTO2)は、アノード電流IA と最大ゲート電流IGpeak の比IA /IGpeak が1に等しいかそれより小さいような方法で正確にハード駆動され、またゲート電流は、IGpeak が2msに等しいかそれより小さく、好ましくは1msに等しいかそれより小さい立ち上がり時間tr内で到達される様な方法で、素早く立ち上がり;-各GTOの駆動回路の全インダクタンスLG は、LG ≦VGR/ (IGpeak / tr) であるように充分小さく選択され、ここでVGRはゲートの逆ブロッキング電圧に対応し;-フリホイール回路(2)は、DC電源とターンオフすることができる前記サイリスタ(GTO1,GTO2)によって形成される直列回路間に与えられ;および-逆並列されたダイオードは、2kV/ms から10kV/ms の電圧/時間微分dV/dtの逆電流応答を有する、ことを特徴とする変換回路装置。
IPC (2件):
H02M 7/515 ,  H02M 7/5387
FI (3件):
H02M 7/515 D ,  H02M 7/515 G ,  H02M 7/5387 Z
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開昭57-186977
  • 特開平4-275056
  • 特開昭62-201058
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