メモリセルを動作させるための方法および装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：奥山尚一 , 有原幸一 , 松島鉄男
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-558857
公開番号（公開出願番号）：特表2005-514722
出願日： 2002年08月21日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：

相変化型メモリ(33)を読み出すための方法および装置を端的に提供する。本方法は、選択されたメモリセル(115)の読み出し中に、選択されていないメモリセル(111,113,117,119)にゼロバイアスを印加することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

第3導線および第4導線を使用してバイアスが印加される第2メモリの読み出しの間に、第1導線および第2導線を使用してバイアスが印加される第1メモリセルにゼロバイアスを印加することを含む方法。

IPC (1件)：

G11C13/00

FI (1件)：

G11C13/00 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭64-015966
電子回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-016018 出願人：キヤノン株式会社
特開昭59-106147

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