特許

J-GLOBAL ID：200903079686964907

集積回路と、メモリアレイを有するデバイス及びメモリアレイのプログラム方法

発明者： アンドリュー・エル・ヴァン・ブロックリン ,  ピーター・フリック ,  エス・ジョナサン・ワング
出願人/特許権者： ヒューレット・パッカード・カンパニー
代理人 (1件)： 奥山 尚一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-310802
公開番号（公開出願番号）：特開2003-187590
出願日： 2002年10月25日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：

【要約】【課題】製造コストが低減されるとともに、記憶密度をさらに増大させる集積回路やメモリアレイを有するデバイスを提供し、そのプログラム方法を提案する。【解決手段】集積回路(10)であって、状態変化デバイスのアレイ(30)と、特定の状態変化デバイスを選択する、第1と第2のデコーダ回路(34,32)とを有する。第1のデコーダ回路(34)には電圧源(36)が接続され、第2のデコーダ回路(32)には、、選択された状態変化デバイスから電気的パラメータを受信し電気的パラメータの特定値を検出するセンス回路(38)が接続される。制御回路(40)が、前記電圧源と、前記第1および第2のデコーダと、前記センス回路とに接続され、該電圧源から第1の電圧を選択することにより選択された状態変化デバイスを変更し、前記センス回路が前記電気的パラメータの特定値を検出すると前記電圧源から第2の電圧を選択する。

請求項（抜粋）：

集積回路(10)であって、状態変化デバイスのアレイ(30)と、特定の状態変化デバイス(52)を選択するための第1のデコーダ回路(34)及び第2のデコーダ回路(32)と、前記第1のデコーダ回路に接続される電圧源(36)と、前記第2のデコーダ回路に接続され、前記選択された状態変化デバイスからの電気的パラメータを受信し該電気的パラメータの特定値を検出するセンス回路(38)と、前記電圧源と、前記第1及び第2のデコーダと、前記センス回路とに接続され、前記選択された状態変化デバイスを変更するように前記電圧源から第1の電圧を選択し、前記センス回路が前記電気的パラメータの前記特定値を検出するとき、前記電圧源から第2の電圧を選択する制御回路(40)とを備えることを特徴とする集積回路。

IPC (5件)：

G11C 17/06 ,  G11C 13/00 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  G11C 16/06

FI (5件)：

G11C 13/00 A ,  G11C 17/06 Z ,  G11C 17/00 623 Z ,  G11C 17/00 634 C ,  G11C 17/00 611 E

Fターム (14件)：

5B003AA01 ,  5B003AA10 ,  5B003AB05 ,  5B003AC02 ,  5B003AC06 ,  5B003AD01 ,  5B003AD03 ,  5B003AD05 ,  5B025AA07 ,  5B025AB01 ,  5B025AC02 ,  5B025AD04 ,  5B025AD06 ,  5B025AE00

引用特許：

審査官引用 (2件)

• メモリのセル構造及びメモリデバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-375809   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 不揮発性半導体多値記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-179143   出願人：株式会社日立製作所