特許

J-GLOBAL ID：200903010777854128

低電流高速相変化メモリ素子及びその駆動方法

発明者： 李 世昊
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (2件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-107242
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311015
出願日： 2004年03月31日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：

【課題】 低電流高速相変化メモリ素子及びその駆動方法を提供する。【解決手段】 非常に小さいサイズの接触構造を有するメモリセルの結晶質状態の相変化膜に局部的に非晶質核が形成されて結晶質状態より高い初期抵抗を有する状態をセットに、以後、このような非晶質核の状態変化による抵抗増加状態をリセットと定義する相変化メモリ。このような本発明によれば、リセットとセットに必要な電流を数百μm以下に、リセットとセットに必要な時間を数十ないし数百nsに短縮でき、これと共に高集積化と不揮発性に近いメモリ素子の具現も可能である効果がある。【選択図】 図6B

請求項（抜粋）：

相変化メモリセルの相変化膜に数十〜数百μAのリセット電流を10〜100ns間印加して高抵抗状態であるリセットを記録する段階と、 前記相変化膜に数十μAのセット電流を10〜100ns間印加して低抵抗状態であるセットを記録する段階と、 を含むことを特徴とする相変化メモリ素子駆動方法。

IPC (3件)：

G11C13/00 ,  H01L27/10 ,  H01L45/00

FI (3件)：

G11C13/00 A ,  H01L27/10 448 ,  H01L45/00 A

Fターム (13件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR10 ,  5F083PR40

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 米国特許第5,177,567号明細書
  
• 米国公開特許2003-003647号明細書
  
• 米国公開特許2003-001211号明細書
  

審査官引用 (3件)

• メモリ、書き込み装置、読み出し装置およびその方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-324150   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平4-045583
  
• ユニバーサルメモリ素子を使用するシステムを有するユニバーサルメモリ素子と、同メモリ素子を読み取り、書き込み、またプログラムするための装置と方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-611284   出願人：エナージーコンバーションデバイセスインコーポレイテッド