特許

J-GLOBAL ID：200903010779904068

シンチレータ

発明者： 安藤 雅信 ,  沢崎 勝久 ,  中山 正昭
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (3件)： 小西 富雅 ,  中村 知公 ,  萩野 幹治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-219542
公開番号（公開出願番号）：特開2004-059722
出願日： 2002年07月29日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【目的】機械的特性に優れることはもとより、化学的にも安定でかつ蛍光寿命も充分短い半導体シンチレータを提供する。【構成】III族窒化物系化合物半導体層からなるシンチレータである。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

III族窒化物系化合物半導体からなるシンチレータ。

IPC (4件)：

C09K11/00 ,  C09K11/62 ,  C09K11/64 ,  G01T1/20

FI (4件)：

C09K11/00 E ,  C09K11/62 ,  C09K11/64 ,  G01T1/20 B

Fターム (12件)：

2G088EE01 ,  2G088EE29 ,  2G088FF02 ,  2G088FF04 ,  2G088GG10 ,  4H001CA08 ,  4H001XA05 ,  4H001XA07 ,  4H001XA13 ,  4H001XA31 ,  4H001XA49 ,  4H001XA81

引用特許：

審査官引用 (3件)

• X線発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-171865   出願人：日本電気株式会社
• 熱蛍光体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-060348   出願人：株式会社東芝
• 特開昭62-167260