特許

J-GLOBAL ID：200903055292427918

X線発光素子

発明者： 小林 憲司
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-171865
公開番号（公開出願番号）：特開2001-349948
出願日： 2000年06月08日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：

【要約】【課題】 X線を照射して発光を行うX線発光素子であって、透光性、発光輝度・効率、耐放射線に優れたX線発光素子を得る。【解決手段】 基板11上にバンドギャップを有するGaN等の半導体層12を有し、そのバンドギャップの障壁エネルギ以上のX線を照射することで、前記半導体層12において発光することを特徴とする。X線で直接励起して発光するため、優れた輝度・効率をもつX線発光素子が得られる。また、半導体層12として薄膜単結晶を利用することで透光性に優れ、これを自由に制御することができる。また、半導体層12でのバンドギャップを利用することで高い発光輝度及びその効率をもち、かつ特定の波長の発光のみが得られる。さらに、X線の波長に依存せず利用できる。結晶成長は容易であり加工性に優れ、高い結晶性を有するため、耐放射線に優れている。また、半導体層12を基板11上に形成することで、外部からの衝撃にも強い発光素子が実現できる。

請求項（抜粋）：

バンドギャップを有する半導体層を有し、前記バンドギャップの障壁エネルギ以上のX線を照射することで発光することを特徴とするX線発光素子。

IPC (4件)：

G01T 1/20 ,  G01T 1/202 ,  C09K 11/00 ,  C09K 11/62 CQF

FI (4件)：

G01T 1/20 B ,  G01T 1/202 ,  C09K 11/00 E ,  C09K 11/62 CQF

Fターム (9件)：

2G088EE02 ,  2G088FF02 ,  2G088GG10 ,  2G088GG21 ,  4H001CA01 ,  4H001CA02 ,  4H001CA08 ,  4H001XA07 ,  4H001XA31

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 蛍光体及び蛍光体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-077823   出願人：双葉電子工業株式会社
• 特開平2-204956
  
• 蛍光表示板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-162869   出願人：株式会社豊田中央研究所
• 特開昭51-041686
  
• 蛍光体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-100215   出願人：双葉電子工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• High Speed Diamond DUV-Detector