特許
J-GLOBAL ID：200903010794872741
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-239292
公開番号（公開出願番号）：特開平8-106785
出願日： 1994年10月03日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：
【要約】【目的】本発明は書き込み速度及び読み出し速度の向上に寄与し得る転送ゲートを備えた半導体記憶装置を提供することを目的とする。【構成】ビット線BL,バーBLとデータバスDB,バーDBとの間に介在される転送ゲートは、並列に接続されたPチャネルMOSトランジスタTrpとNチャネルMOSトランジスタTrnとで構成される。セル情報の読み出し動作時にはNチャネルMOSトランジスタTrnだけをオンさせ、セル情報の書き込み動作時には少なくともPチャネルMOSトランジスタTrpをオンさせるコラム選択信号CL,CLWがコラムデコーダ3から各トランジスタTrn,Trpのゲートに入力される。
請求項（抜粋）：
ビット線とデータバスとの間に介在される転送ゲートを、並列に接続したPチャネルMOSトランジスタとNチャネルMOSトランジスタとで構成し、セル情報の読み出し動作時には前記NチャネルMOSトランジスタだけをオンさせ、セル情報の書き込み動作時には少なくとも前記PチャネルMOSトランジスタをオンさせるコラム選択信号をコラムデコーダから前記各トランジスタのゲートに入力することを特徴とする半導体記憶装置。
引用特許：
前のページに戻る
