特許
J-GLOBAL ID：200903010794978582
ナノメータカーボンチューブ装置の製造方法
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
竹本 松司
, 杉山 秀雄
, 湯田 浩一
, 魚住 高博
, 手島 直彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-244830
公開番号（公開出願番号）：特開2004-050395
出願日： 2002年08月26日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：
【課題】ナノメータカーボンチューブ装置の製造方法の提供。【解決手段】触媒点の密度にエッチング技術を加えてナノメータカーボンチューブを成長させる側面を画定し、選択性CVDで触媒側面にあって水平方向に成長させ、最後に一列の分離した触媒点を一つに連結する。触媒点の位置配列方式により、更に大面積のウエハー上にあって一回でナノメータカーボンチューブを位置決めする目標を達成し、並びにナノメータカーボンチューブメモリとトランジスタアレイを完成することができる。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
ナノメータカーボンチューブ装置の製造方法において、
基板上に複数のナノメータ金属触媒顆粒を付着させるステップ、
金属膜を堆積させ、該金属膜に上述の基板と該複数のナノメータ金属触媒顆粒を被覆させるステップ、
必要な位置と図形に依り該金属膜をエッチングし、選定位置のナノメータ金属触媒顆粒をエッチング後の金属膜側面において露出させるステップ、
チップを堆積システム中に入れ、該ナノメータ金属触媒顆粒においてナノメータカーボンチューブを選択性横向き成長させるステップ、
以上のステップを具えたことを特徴とする、ナノメータカーボンチューブ装置の製造方法。
IPC (3件)：
B82B3/00
, C01B31/02
, H01L29/06
B82B3/00
, C01B31/02 101F
, H01L29/06 601N
4G146AA11
, 4G146AB08
, 4G146AC03
, 4G146AD22
, 4G146AD30
, 4G146BA01
, 4G146BA48
, 4G146BB05
, 4G146BB12
, 4G146BB14
, 4G146BB23
, 4G146BC01
, 4G146BC09
, 4G146BC42
, 4G146BC48
