特許
J-GLOBAL ID：200903096613703015

カーボンナノチューブの水平成長方法及びこれを利用した電界効果トランジスタ

発明者：
ジン・クー・シン

ジン・クー・シン について

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キュウ・タエ・キム

キュウ・タエ・キム について

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ミン・ジャエ・ジュン

ミン・ジャエ・ジュン について

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サン・スー・ユーン

サン・スー・ユーン について

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ヤング・スー・ハン

ヤング・スー・ハン について

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ジャエ・ユン・イー

ジャエ・ユン・イー について


出願人/特許権者：
エルジー電子株式会社

エルジー電子株式会社 について


代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-218578
公開番号（公開出願番号）：特開2002-118248
出願日： 2001年07月18日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：
【要約】【課題】 本発明は所望する特定位置にカーボンナノチューブを選択的に水平成長させる。それによって、ナノデバイス製造に有効に利用できるカーボンナノチューブの水平成長方法を提供する。【解決手段】 本発明によるカーボンナノチューブの水平成長方法は、基板上に所定の触媒パターンを形成させる段階と、基板上にカーボンナノチューブの垂直成長を抑制する層を形成する段階と、基板及び垂直成長を抑制する層に開口部を形成して、触媒パターンを露出させる段階、及び露出された触媒パターン位置でカーボンナノチューブを合成して水平成長させる段階を含む。
請求項（抜粋）：
(a)基板上に所定の触媒パターンを形成させる段階と、(b)前記基板上にカーボンナノチューブの垂直成長を抑制する層を形成する段階と、(c)前記基板及び垂直成長を抑制する層に触媒パターンを切断するように開口部を形成して、その開口部内に前記触媒パターンを露出させる段階、及び(d)前記露出された触媒パターンの位置でカーボンナノチューブを合成して水平成長させる段階を含むことを特徴とするカーボンナノチューブの水平成長方法。
IPC (7件)：
H01L 29/06 601 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C01B 31/02 101 ,  C23C 16/26 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/80
FI (8件)：
H01L 29/06 601 N ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C01B 31/02 101 F ,  C23C 16/26 ,  H01L 29/66 C ,  H01L 29/66 S ,  H01L 29/80 A
Fターム (12件)：
4G046CB03 ,  4G046CC06 ,  4G046CC08 ,  4K030BA27 ,  4K030BA44 ,  4K030BB12 ,  5F102FB10 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GC05 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)
引用文献：
出願人引用 (2件)

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