特許
J-GLOBAL ID:200903010803210870

単結晶の珪素ナノチューブとその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-378931
公開番号(公開出願番号):特開2005-139044
出願日: 2003年11月07日
公開日(公表日): 2005年06月02日
要約:
【課題】 ナノスケールの半導体デバイス用材料として有用な単結晶の珪素ナノチューブの製造方法を提供する。【解決手段】 硫化亜鉛粉末を不活性気流中で、1150〜1250°Cに加熱して硫化亜鉛ナノワイヤーを生成させ、その存在下に、一酸化ケイ素粉末を1200〜1400°Cに不活性気流中で加熱することにより、硫化亜鉛・ケイ素コア・シェル構造のナノワイヤーを生成させた後に、このコア・シェルナノワイヤーを塩酸水溶液で処理して、珪素ナノチューブを製造する。【選択図】図2
請求項(抜粋):
外径が120〜180ナノメートル、チューブ壁の厚さが40〜60ナノメートルである単結晶珪素ナノチューブ。
IPC (3件):
C30B29/66 ,  C01B33/02 ,  C30B29/06
FI (3件):
C30B29/66 ,  C01B33/02 Z ,  C30B29/06 A
Fターム (19件):
4G072AA01 ,  4G072BB11 ,  4G072BB20 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH13 ,  4G072MM24 ,  4G072NN24 ,  4G072RR23 ,  4G072TT30 ,  4G072UU01 ,  4G077AA04 ,  4G077BA04 ,  4G077DA17 ,  4G077EA02 ,  4G077EA06 ,  4G077FJ04 ,  4G077SA02 ,  4G077SA07
引用特許:
審査官引用 (1件)
引用文献:
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