特許
J-GLOBAL ID:200903010809552765
エッチング耐性ウェーハ加工装置及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (5件):
伊藤 信和
, 松本 研一
, 小倉 博
, 黒川 俊久
, 荒川 聡志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-343731
公開番号(公開出願番号):特開2007-173828
出願日: 2006年12月21日
公開日(公表日): 2007年07月05日
要約:
【課題】 フッ素エッチング耐性に優れ、裏側粒子発生が低減し、かつウェーハプロセスの汚染の少ない改良型ウェーハ加工装置の提供。【解決手段】 ウェーハ加工装置の製造に当たり、ベース基板の表面上にフィルム電極を堆積し、この構造を次にB、Al、Si、Ga、高融点硬金属、遷移金属及びこれらの組合せからなる群から選択される元素の窒化物、炭化物、炭窒化物及び酸窒化物の少なくとも1種を含んでなる保護コーティングフィルム層で被覆する。フィルム電極の熱膨張係数は、下側のベース基板層の熱膨張係数及び保護コーティング層の熱膨張係数と略合致する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
様々な寸法の加工品を載置するためのプラットホームを備えるウェーハ加工装置であって、上記プラットホームが、
グラファイト、高融点金属、遷移金属、希土類金属及びこれらの合金の少なくとも1種を含んでなるベース基板と、
ベース基板上に堆積した電気絶縁層であって、Al、B、Si、Ga、高融点硬金属、遷移金属及びこれらの組合せからなる群から選択される元素の酸化物、窒化物及び酸窒化物の少なくとも1種を含んでなる電気絶縁層と、
電気絶縁層上に設けられたフィルム電極と、
フィルム電極上に設けられたコーティング層であって、B、Al、Si、Ga、高融点硬金属、遷移金属及びこれらの組合せからなる群から選択される元素の窒化物、炭化物、炭窒化物及び酸窒化物の少なくとも1種を含んでなるコーティング層と
を備えており、
上記フィルム電極が電気絶縁層及びコーティング層各々の熱膨張係数の0.75〜1.25倍の熱膨張係数を有しており、
上記電気絶縁層とコーティング層が同一又は異なる材料からなり、
上記フィルム電極が、スクリーン印刷、スピンコーティング、プラズマ溶射、溶射熱分解、反応性溶射、ゾル-ゲル、燃焼トーチ、電気アーク、イオンプレーティング、イオンインプランテーション、スパッタリング、レーザーアブレーション、蒸着、電気メッキ及びレーザー表面合金化の少なくと1つの方法で堆積したものであり、
上記コーティング層が膨張熱プラズマ(ETP)、化学気相堆積(CVD)、プラズマ励起化学気相堆積、有機金属化学気相堆積、有機金属気相エピタキシ、スパッタリング、電子ビーム及びプラズマ溶射の少なくとも1つの方法でフィルム電極上に堆積したものである、
ウェーハ加工装置。
IPC (2件):
H01L 21/683
, H01L 21/306
FI (2件):
H01L21/68 R
, H01L21/302 101G
Fターム (20件):
4K030KA23
, 4K030KA47
, 5F004AA16
, 5F004BB22
, 5F004BB26
, 5F004BB30
, 5F004CA04
, 5F031CA02
, 5F031HA02
, 5F031HA03
, 5F031HA10
, 5F031HA16
, 5F031HA37
, 5F031MA28
, 5F031MA29
, 5F031MA30
, 5F031MA31
, 5F031MA32
, 5F031PA13
, 5F031PA30
引用特許:
出願人引用 (7件)
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米国特許第5663865号明細書
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米国特許第6744618号明細書
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米国特許第5280156号明細書
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審査官引用 (2件)
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