半導体製造工程の排ガス処理方法及び半導体製造工程の排ガス処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：澤喜代治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-095082
公開番号（公開出願番号）：特開平10-263355
出願日： 1997年03月27日
公開日（公表日）： 1998年10月06日
要約：

【要約】【目的】本発明は、半導体製造工程で生じる熱分解性或いは熱酸化性の排ガスを加熱処理を行うことにより、無害ないし処理し易い固形酸化物に変化させたり、或いは後処理が容易な処理ガスに変化させるようにし、しかも微細な粉塵によって形成、成長した断熱層を摺動体で除去することにより、放熱体の熱効率を向上させたり、粉塵の除去が極めて簡便に、しかも廉価に行える半導体製造工程の排ガス処理方法及びこの方法を好適に実施する半導体製造工程の排ガス処理装置を提供することを目的とする。【構成】本発明は、半導体製造工程で生じる熱分解性或いは熱酸化性の排ガスを処理室に導入し、処理室内で加熱することにより当該排ガスを熱分解或いは熱酸化させて無害化ないし後処理が容易に行えるようにする排ガス処理方法において、処理室内には摺動体を設け、この摺動体で処理室内の周壁に付着した固形酸化物等の粉塵を除去することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体製造工程で生じる熱分解性或いは熱酸化性の排ガスを処理室に導入し、処理室内で加熱することにより当該排ガスを熱分解或いは熱酸化させて無害化ないし後処理が容易に行えるようにする排ガス処理方法において、処理室内には摺動体を設け、この摺動体で処理室内の周壁に付着した固形酸化物等の粉塵を除去することを特徴とする半導体製造工程の排ガス処理方法。

IPC (4件)：

B01D 53/34 , H01L 21/02 , H01L 21/205 , H01L 21/3065

FI (4件)：

B01D 53/34 Z , H01L 21/02 D , H01L 21/205 , H01L 21/302 B

引用特許：

出願人引用 (4件)

特表平4-504613
特開平4-290519
特開平4-290524

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審査官引用 (4件)

特表平4-504613
特開平4-290519
特開平4-290524

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