スパッタ方法およびスパッタ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-252561
公開番号（公開出願番号）：特開平7-090574
出願日： 1993年09月14日
公開日（公表日）： 1995年04月04日
要約：

【要約】【目的】本発明は、プラズマの制御とスパッタ粒子の制御とを別々に行うことで、スパッタ効率を高めるとともに段差部におけるカバリッジの向上を図る。【構成】スパッタ方法としては、所定の真空度に保持した反応室11内に不活性ガスを導入し、反応室11内に空間18を介してほぼ対向した状態に設けた基板電極19とターゲット電極14との間に、プラズマ発生器31でプラズマを発生させて、不活性ガスのプラズマイオンをターゲット電極14に高エネルギーで当ててスパッタ粒子を放出させるとともに、基板電極19側にスパッタ粒子とともにプラズマイオンを低バイアスで入射させることによって、基板電極19に載置した基板71に薄膜(図示せず)を形成する。

請求項（抜粋）：

所定の真空度に保持した反応室内に不活性ガスを導入し、前記反応室内に空間を介してほぼ対向した状態に設けられている基板電極とターゲット電極との間にプラズマ発生器でプラズマを発生させて基板電極上の基板に薄膜を形成する際に、前記プラズマ発生器で前記空間に発生させた不活性ガスのプラズマイオンを前記ターゲット電極に高エネルギーで当ててスパッタ粒子を放出させるとともに、前記基板電極側に前記スパッタ粒子とともに前記プラズマイオンを低バイアスで入射させることによって、前記基板電極上に載置した基板に薄膜を形成することを特徴とするスパッタ方法。

IPC (3件)：

C23C 14/34 , C23C 14/48 , H01L 21/203

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭61-190070
特開昭57-007129
特開平2-138456

全件表示

前のページに戻る