特許

J-GLOBAL ID：200903010892586030

ステンシルマスク、イオン注入装置、イオン注入方法

発明者： 柴田 武
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-204681
公開番号（公開出願番号）：特開2007-027273
出願日： 2005年07月13日
公開日（公表日）： 2007年02月01日
要約：

【課題】 処理基板のうち半導体素子を形成できる領域を多く取ることが可能なステンシルマスクを提供する。【解決手段】 ステンシルマスクは、基板の処理の際に基板に照射されるイオンを位置選択的に遮断し、相互に対向する2つの面を貫く開口を有し、透過部41を有する。透過部は、基板上に形成された位置合わせ用パターンおよびその周囲の基板を含むマーク領域により反射されて観測装置に入射する観測光を透過させ且つイオンを遮断する材質から構成される。また、透過部は、第1部分と第1部分から区画された第2部分42とからなる。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

基板の処理の際に前記基板に照射されるイオンを位置選択的に遮断するステンシルマスクであって、 前記イオンを遮断し、相互に対向する2つの面を貫く開口を有し、前記基板上に形成された位置合わせ用パターンおよびその周囲の前記基板を含むマーク領域により反射されて観測装置に入射する観測光を透過させ且つ前記イオンを遮断する材質から構成される透過部を有し、前記透過部が第1部分と前記第1部分から区画された第2部分とからなることを特徴とするステンシルマスク。

IPC (4件)：

H01L 21/266 ,  H01L 21/027 ,  G03F 1/16 ,  H01J 37/317

FI (5件)：

H01L21/265 M ,  H01L21/30 541S ,  H01L21/30 541K ,  G03F1/16 B ,  H01J37/317 B

Fターム (12件)：

2H095BA09 ,  2H095BC09 ,  2H095BE08 ,  2H095BE09 ,  5C034CC07 ,  5C034CC19 ,  5F056AA06 ,  5F056BD04 ,  5F056BD09 ,  5F056EA04 ,  5F056FA05 ,  5F056FA06

引用特許：

出願人引用 (1件)

• イオン注入装置、イオン発生装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-105528   出願人：株式会社東芝