単結晶基板上にエピタキシャル成長したグラフェン層を含むデバイス

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：岡部正夫 , 加藤伸晃 , 岡部讓 , 臼井伸一 , 越智隆夫 , 朝日伸光 , 三山勝巳
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-555294
公開番号（公開出願番号）：特表2009-527127
出願日： 2007年02月13日
公開日（公表日）： 2009年07月23日
要約：

電子デバイスは、物質の主表面に単結晶領域を含む物質を含む。単結晶領域は、グラフェンと実質的に格子整合している六方晶格子を有し、グラフェンの少なくとも1つのエピタキシャル層がこの単結晶領域に配置される。現在好ましい実施形態では、単結晶領域は多層の六方晶BNを含む。このような電子デバイスの作製方法は、物質の主表面に単結晶領域を含む物質を提供し、単結晶領域は、グラフェンと実質的に格子整合している六方晶格子を有するステップ(a)と、この領域に少なくとも1つのグラフェン層をエピタキシャル形成するステップ(b)を含む。現在好ましい実施形態では、ステップ(a)は、グラファイトの単結晶基板を提供するステップ(a1)と、基板に多層の単結晶六方晶BNをエピタキシャル形成するステップ(a2)とをさらに含む。六方晶BN層はグラフェンと実質的に格子整合した表面領域を有し、ステップ(b)は六方晶BN層の表面領域に少なくとも1つのグラフェン層をエピタキシャル形成するステップを含む。FETへの応用が説明されている。

請求項（抜粋）：

物質の主表面に単結晶領域を含み、前記領域がグラフェンと実質的に格子整合している六方晶格子を有する物質と、前記物質の前記領域に配置されたグラフェンの少なくとも1つのエピタキシャル層とを含むデバイス。

IPC (10件)：

H01L 29/786 , H01L 29/201 , C30B 29/02 , C30B 25/20 , C01B 31/04 , C01B 21/064 , H01L 21/205 , H01L 21/203 , H01L 21/336 , H01L 21/20

FI (12件)：

H01L29/78 618B , H01L29/201 , C30B29/02 , C30B25/20 , C01B31/04 101Z , C01B21/064 B , H01L21/205 , H01L21/203 M , H01L29/78 617T , H01L29/78 627Z , H01L29/78 626C , H01L21/20

Fターム (51件)：

4G077AA03 , 4G077BA02 , 4G077DB01 , 4G077ED06 , 4G077EF02 , 4G077HA06 , 4G077TC13 , 4G077TC19 , 4G077TK01 , 4G146AA02 , 4G146AB07 , 4G146AD30 , 4G146BC09 , 5F045AA06 , 5F045AB07 , 5F045AF07 , 5F045BB12 , 5F045CA15 , 5F045DA62 , 5F103AA04 , 5F103DD30 , 5F103HH04 , 5F103HH08 , 5F103LL13 , 5F103RR06 , 5F110AA07 , 5F110AA30 , 5F110CC01 , 5F110DD01 , 5F110EE24 , 5F110FF01 , 5F110FF05 , 5F110FF27 , 5F110GG01 , 5F110GG12 , 5F110GG19 , 5F110GG23 , 5F110GG42 , 5F110GG44 , 5F110GG47 , 5F110HK01 , 5F110HK32 , 5F110HK34 , 5F110HK37 , 5F152LL03 , 5F152LL09 , 5F152LN03 , 5F152MM04 , 5F152NN02 , 5F152NP09 , 5F152NQ02

引用特許：

出願人引用 (2件)

米国特許出願公開第2005/0253820号
米国仮出願第11/114,828号

審査官引用 (2件)

炭素微粒子構造体とその製造方法、およびこれを製造するための炭素微粒子転写体と炭素微粒子構造体製造用溶液、並びに炭素微粒子構造体を用いた炭素微粒子構造体電子素子とその製造方法、そして集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-188823 出願人：富士ゼロックス株式会社
特開平4-233277

引用文献：

審査官引用 (3件)

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