特許
J-GLOBAL ID:200903010923239724

近接スイッチ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 永田 良昭
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-312921
公開番号(公開出願番号):特開2002-124864
出願日: 2000年10月13日
公開日(公表日): 2002年04月26日
要約:
【要約】【課題】この発明は、電波検知回路の電界強度検知レベルの設定にあたって、近接スイッチの特性のバラツキに対する考慮が可及的に少なく、また、近接スイッチとして機能する電界強度限界レベルに可及的に近づけて設定することができる近接スイッチの提供を目的とする。【解決手段】この発明は、物体の近接に伴う発振回路部の出力変化を比較回路部で比較して所定量の変化を検知したとき物体検知信号が出力される基本回路を半導体集積回路と受動部品とで構成した近接スイッチであって、外部から到来する所定強度の電波を検知したとき前記基本回路による物体検知信号の出力を不可になし、回路中に電波検知の動作をする電波検知用素子を用いた電波検知回路を設けて、上記電波検知用素子を前記半導体集積回路に内蔵し、上記電波検知用素子を、前記基本回路で使用される素子の中で、耐電波特性が最も低い素子を比較対象として、これより耐電波特性を所定値低くして形成した近接スイッチであることを特徴とする。
請求項(抜粋):
物体の近接に伴う発振回路部の出力変化を比較回路部で比較して所定量の変化を検知したとき物体検知信号が出力される基本回路を半導体集積回路と受動部品とで構成した近接スイッチであって、外部から到来する所定強度の電波を検知したとき前記基本回路による物体検知信号の出力を不可になし、回路中に電波検知の動作をする電波検知用素子を用いた電波検知回路を設けて、上記電波検知用素子を前記半導体集積回路に内蔵し、上記電波検知用素子を、前記基本回路で使用される素子の中で、耐電波特性が最も低い素子を比較対象として、これより耐電波特性を所定値低くして形成した近接スイッチ。
IPC (2件):
H03K 17/95 ,  H01H 36/00
FI (2件):
H03K 17/95 G ,  H01H 36/00 A
Fターム (13件):
5G046AA03 ,  5G046AB01 ,  5G046AC54 ,  5G046AD02 ,  5G046AD08 ,  5G046AE24 ,  5J050AA05 ,  5J050AA37 ,  5J050BB22 ,  5J050DD04 ,  5J050EE34 ,  5J050EE35 ,  5J050FF29
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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