特許

J-GLOBAL ID：200903010928571921

半導体装置

発明者： 安藤 守
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-187622
公開番号（公開出願番号）：特開平10-032284
出願日： 1996年07月17日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の有効面積率を向上させる。【解決手段】 第1の能動素子が形成された第1の半導体基板60と、第2の能動素子が形成された第2の半導体基板100とが一体化された半導体装置において、前記第1の能動素子と前記第2の能動素子とは電気的に接続され、且つ第1、第2の能動素子の外部接続電極62,63,64...は複数に電気的に分離分割された前記第1の半導体基板60を用いたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

第1の能動素子が形成された第1の半導体基板と、第2の能動素子が形成された第2の半導体基板とが一体化された半導体装置において、前記第1の能動素子と前記第2の能動素子とは電気的に接続され、且つ第1、第2の能動素子の外部接続電極は複数に電気的に分離分割された前記第1の半導体基板を用いたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ,  H01L 27/00 301

FI (2件)：

H01L 23/12 Q ,  H01L 27/00 301 B

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特公昭46-011930
  
• 特公昭45-036054
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-108190   出願人：ローム株式会社
• 特公昭46-034658