特許
J-GLOBAL ID：200903010932498058
積層型半導体セラミック素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
下市 努
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-089746
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302403
出願日： 1993年04月16日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：
【要約】【目的】 オーミック性を損なうことなく室温での抵抗値を低くできるとともに、抵抗変化率を大きくできる積層型半導体セラミック素子を提供する。【構成】 半導体セラミック層2と電極3とを交互に積層して積層体4(焼結体)を形成し、これにより積層型半導体セラミック素子1を構成する場合に、該セラミック素子1の空隙率を3〜15体積%とする。
請求項（抜粋）：
半導体セラミック層と電極とを交互に積層してなる正の抵抗温度特性を有する積層型半導体セラミック素子において、該半導体セラミック素子の空隙率を3〜15体積%としたことを特徴とする積層型半導体セラミック素子。
引用特許：
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