特許

J-GLOBAL ID：200903010954632238

半導体装置の製造方法

発明者： 西澤 潤一 ,  小山 裕 ,  ピョートル プヲトカ ,  辺見 政浩
出願人/特許権者： 財団法人半導体研究振興会
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-298861
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122555
出願日： 1993年10月21日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：

【要約】【目的】 リフトオフ法によって、低抵抗金属・半導体接触を得る。【構成】 レジストなどのパターン材料膜に対して、低温オゾン暴露工程を行い、しかる後リフトオフ法によって金属などのパターン形成膜によるパターンを形成する。

請求項（抜粋）：

基体上に、パターン材料膜を被覆する工程と、上記パターン材料の少なくとも一部に上記基体を露出する工程と、上記パターン材料が被覆された基体を低温で酸化する工程と、上記パターン材料上にパターン形成膜を被覆する工程と、上記パターン材料のパターン形成に不要な部分をリフトオフして上記パターン形成膜のパターンを形成する工程を有する事を特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-221624
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-145267   出願人：松下電器産業株式会社