パターン形成方法及び被覆膜形成用材料

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-221624
公開番号（公開出願番号）：特開2009-053546
出願日： 2007年08月28日
公開日（公表日）： 2009年03月12日
要約：

【課題】ダブルパターニング法における工程数を低減できる新規なパターン形成方法、及び該パターン形成方法に好適に用いられる被覆膜形成用材料を提供する。【解決手段】支持体1上に第一の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜2を形成し、第一のレジスト膜2を選択的に露光し、現像して複数の第一のレジストパターン3を形成し、第一のレジストパターン3の表面に、それぞれオキサゾリン基を含有するポリマーを含む被覆膜形成用材料を用いて被覆膜4を形成して複数の被覆パターン5を形成し、該被覆パターン5が形成された支持体1上に第二の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜6を形成し、第二のレジスト膜6を選択的に露光し、現像することにより、複数の被覆パターン5と、第二のレジスト膜6に形成された第二のレジストパターン7とからなるパターンを支持体1上に形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

レジスト組成物を用いてパターンを形成するパターン形成方法であって、支持体上に、第一のレジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成する工程と、前記第一のレジスト膜を、第一のマスクパターンを介して選択的に露光し、現像して第一のレジストパターンを形成する工程と、前記第一のレジストパターンの表面に、被覆膜を形成して被覆パターンを形成する工程と、前記被覆パターンが形成された前記支持体上に第二のレジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成する工程と、前記第二のレジスト膜を、第二のマスクパターンを介して選択的に露光し、現像して第二のレジストパターンを形成する工程と、を含み、前記被覆膜を、オキサゾリン基を含有するポリマーを含む被覆膜形成用材料を用いて形成することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/38 , G03F 7/40 , G03F 7/11 , H01L 21/027 , G03F 7/26

FI (6件)：

G03F7/38 501 , G03F7/40 , G03F7/11 501 , H01L21/30 570 , H01L21/30 502R , G03F7/26 511

Fターム (30件)：

2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE07 , 2H025BG00 , 2H025DA02 , 2H025FA01 , 2H025FA10 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 2H025FA39 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096DA04 , 2H096EA03 , 2H096EA05 , 2H096EA06 , 2H096EA07 , 2H096EA12 , 2H096EA23 , 2H096FA01 , 2H096GA08 , 2H096HA02 , 2H096JA02 , 2H096JA04 , 5F046LA18

引用特許：

出願人引用 (1件)

ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-201310 出願人：東京応化工業株式会社

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