特許

J-GLOBAL ID：200903010976175680

半導体発光装置、発光モジュール及び照明装置

発明者： 永井 秀男
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-523915
公開番号（公開出願番号）：特表2008-523578
出願日： 2005年12月07日
公開日（公表日）： 2008年07月03日
要約：

【課題】放熱性を向上させることができる上、高集積化が容易な半導体発光装置を提供する。【解決手段】半導体多層膜(11)と、半導体多層膜(11)を支持する基材(12)と、第1給電端子(17a)と、第2給電端子(17b)とを含み、基材(12)における半導体多層膜(11)側に配置された主面(12a)に対する裏面(12b)には、凸部(12c)が形成されており、第1及び第2給電端子(17a,17b)は、裏面(12b)における凸部(12c)を除く箇所(12d)及び基材(12)の側面(12e)から選ばれる少なくとも1つに接触して形成されており、凸部(12c)の先端面(121c)は、第1及び第2給電端子(17a,17b)と電気的に絶縁されている半導体発光装置(1)とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型層と発光層と前記発光層から発せられた光の取り出し側に配置される第2導電型層とがこの順に積層された半導体多層膜と、 前記半導体多層膜を支持する基材と、 前記第1導電型層と電気的に接続された第1給電端子と、 前記第2導電型層と電気的に接続された第2給電端子とを含む半導体発光装置であって、 前記基材における前記半導体多層膜側に配置された主面に対する裏面には、凸部が形成されており、 前記第1及び第2給電端子は、前記凸部を除く前記裏面及び前記基材の側面から選ばれる少なくとも1つに接触して形成されており、 前記凸部の先端面は、前記第1及び第2給電端子と電気的に絶縁されていることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  F21S 8/04 ,  F21V 29/00 ,  F21V 19/00

FI (4件)：

H01L33/00 N ,  F21S1/02 G ,  F21V29/00 111 ,  F21V19/00 170

Fターム (30件)：

3K013AA01 ,  3K013AA07 ,  3K013BA01 ,  3K013CA16 ,  3K013EA03 ,  3K014AA01 ,  3K014LA01 ,  3K014LB04 ,  3K243MA01 ,  5F041AA04 ,  5F041AA14 ,  5F041AA33 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041DA03 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09 ,  5F041DA19 ,  5F041DA20 ,  5F041DA35 ,  5F041DA45 ,  5F041DA55 ,  5F041DB09 ,  5F041DC04 ,  5F041DC23 ,  5F041DC66 ,  5F041DC82 ,  5F041DC83 ,  5F041EE25 ,  5F041FF11

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-192135   出願人：松下電子工業株式会社