特許

J-GLOBAL ID：200903011008452536

半導体レーザ素子及びその製造方法

発明者： 持田 篤範
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 新居 広守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-340651
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191547
出願日： 2004年11月25日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：

【課題】 長寿命特性を有し、歩留まりを高くする半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 共振器端面を形成する2つの劈開面70を有する半導体レーザ素子であって、GaN基板1と、基板1上に形成された低温成長バッファ層2と、低温成長バッファ層2上に形成され、表面にリッジ部4及び複数の溝7が形成された成長層3とを備え、リッジ部4は成長層3の低貫通転位密度の領域3bに形成され、溝7は、一方の劈開面70から他方の劈開面70に続くように、成長層3のリッジ部4以外の高貫通転位密度の領域3aに形成される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

共振器を形成する2つの劈開面を有する半導体レーザ素子であって、 基板と、 前記基板上に形成され、光導波路が形成された第1窒化物半導体層とを備え、 前記第1窒化物半導体層は、前記光導波路以外の部分に、一方の前記劈開面から他方の前記劈開面に続く光導波路に沿った溝を有する ことを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S5/22 ,  H01S5/323

FI (2件)：

H01S5/22 ,  H01S5/323 610

Fターム (13件)：

5F173AA08 ,  5F173AF03 ,  5F173AF35 ,  5F173AF55 ,  5F173AF75 ,  5F173AF96 ,  5F173AG12 ,  5F173AH22 ,  5F173AP33 ,  5F173AP75 ,  5F173AP82 ,  5F173AP93 ,  5F173AR93

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体の製造方法、半導体基板の製造方法及び半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-382955   出願人：松下電器産業株式会社