特許
J-GLOBAL ID:200903011009518425

ガスセンサとその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 塩入 明 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-374292
公開番号(公開出願番号):特開2003-172720
出願日: 2001年12月07日
公開日(公表日): 2003年06月20日
要約:
【要約】【構成】 基板2上にPtの有機化合物膜を印刷し、焼成後にイオンミリングによりパターニングして電極膜4やヒータ膜6とする。イオンミリング時に、基板2の表面をオーバーエッチングして凹部22を形成し、金属酸化物半導体膜12から見た下地側の凹凸を増す。【効果】 ヒータ膜や電極膜の基板への密着性が増し、かつ金属酸化物半導体膜の基板への付着力が増す。
請求項(抜粋):
基板上にヒータ膜と感ガス膜とを設けたガスセンサにおいて、該ヒータ膜が、白金を主成分とする有機金属化合物膜を焼成したものであることを特徴とするガスセンサ。
FI (2件):
G01N 27/12 C ,  G01N 27/12 B
Fターム (26件):
2G046AA04 ,  2G046AA11 ,  2G046AA18 ,  2G046AA24 ,  2G046BA01 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BB04 ,  2G046BC01 ,  2G046BE03 ,  2G046BE08 ,  2G046EA02 ,  2G046EA04 ,  2G046EA07 ,  2G046EA11 ,  2G046FA02 ,  2G046FB02 ,  2G046FE03 ,  2G046FE04 ,  2G046FE10 ,  2G046FE31 ,  2G046FE38 ,  2G046FE39 ,  2G046FE40 ,  2G046FE44 ,  2G046FE49
引用特許:
審査官引用 (2件)

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