特許
J-GLOBAL ID：200903011014734535

磁気記録媒体、その製造方法、製造装置、および磁気記録再生装置

発明者：
坂脇 彰

坂脇 彰 について

, 
酒井 浩志

酒井 浩志 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (1件)： 志賀 正武 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-401182
公開番号（公開出願番号）：特開2002-260210
出願日： 2001年12月28日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：
【要約】【課題】 熱揺らぎ耐性などの磁気特性およびグライドハイト特性に優れ、かつ容易に製造することができる磁気記録媒体を提供する。【解決手段】 非磁性基板1と、その上に形成された非磁性下地層3、磁性層4および保護層5を基本構成とし、非磁性下地層3が、bcc構造を有し、非磁性基板1と非磁性下地層3との間に、非磁性下地層を(200)に優先的に配向させる配向調整層2が形成され、この配向調整層2が、柱状微結晶粒2aが半径方向に傾いた結晶構造を有し、磁性層4の周方向の保磁力Hccと径方向の保磁力Hcrとの比Hcc/Hcrが1より大きく、磁性層4が、複数の磁性膜4a、4bを有し、これら磁性膜4a、4bが、hcp構造を有し、かつ(110)に優先的に配向しており、これら磁性膜4a、4b間に反強磁性結合が形成可能な構造を有する。
請求項（抜粋）：
非磁性基板と、その上に形成された非磁性下地層、磁性層および保護層を基本構成とする磁気記録媒体において、非磁性下地層が、bcc構造を有し、非磁性基板と非磁性下地層との間に、非磁性下地層を(200)に優先的に配向させる配向調整層が形成され、この配向調整層が、柱状微結晶粒が半径方向に傾いた結晶構造を有し、磁性層の周方向の保磁力Hccと径方向の保磁力Hcrとの比Hcc/Hcrが、1より大きくされ、磁性層が、複数の磁性膜を有し、これら磁性膜が、hcp構造を有し、かつ(110)に優先的に配向しており、これら磁性膜間に反強磁性結合が形成可能とされていることを特徴とする磁気記録媒体。
IPC (6件)：
G11B 5/65 ,  G11B 5/64 ,  G11B 5/66 ,  G11B 5/738 ,  G11B 5/84 ,  G11B 5/851
FI (6件)：
G11B 5/65 ,  G11B 5/64 ,  G11B 5/66 ,  G11B 5/738 ,  G11B 5/84 Z ,  G11B 5/851
Fターム (23件)：
5D006BB01 ,  5D006BB02 ,  5D006BB03 ,  5D006BB07 ,  5D006BB08 ,  5D006BB09 ,  5D006CA01 ,  5D006CA04 ,  5D006CA05 ,  5D006CA06 ,  5D006CB04 ,  5D006CB07 ,  5D006EA03 ,  5D112AA02 ,  5D112AA03 ,  5D112AA05 ,  5D112AA06 ,  5D112BA05 ,  5D112BB05 ,  5D112BD03 ,  5D112FA04 ,  5D112FB21 ,  5D112GA17
引用特許：
審査官引用 (7件)
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