特許
J-GLOBAL ID：200903011030611028
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-344281
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196482
出願日： 1992年12月24日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】半導体基板に対するバリア性と配線の高信頼性とを併せもつバリアメタルを第1金属配線層に備えた半導体装置およびその製造方法。【構成】第1金属配線層がアルミニウムまたはその合金層を含む積層配線であり、少なくともその下層にチタンナイトライド層を含む半導体装置において、該チタンナイトライド層が下層に(200)配向層、上層に(111)配向層を有する積層構造であることを特徴とする半導体装置。この半導体装置にさいし、チタンナイトライド層がチタン化合物とアンモニアを含む系を原料とするCVD法により形成され、前記チタン化合物とアンモニアの分圧比を変えることにより配向性を制御する。
請求項（抜粋）：
第1金属配線層がアルミニウムまたはその合金層を含む積層配線であり、少なくともその下層にチタンナイトライド層を含む半導体装置において、該チタンナイトライド層が下層に(200)配向層、上層に(111)配向層を有する積層構造であることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/205
H01L 21/88 R
, H01L 21/88 N
