特許
J-GLOBAL ID：200903011031421559
シリコン連続鋳造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
生形 元重 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-188135
公開番号（公開出願番号）：特開2001-019594
出願日： 1999年07月01日
公開日（公表日）： 2001年01月23日
要約：
【要約】【課題】 太陽電池の品質に重大な影響を及ぼす凝固直後のシリコン鋳塊の半径方向の温度勾配を低減し、その品質を向上させる。【解決手段】 誘導コイル2と組み合わされた無底ルツボ3内でシリコン原料を電磁誘導加熱により溶解すると共に、その溶解に移行式プラズマアークトーチ9によるプラズマ加熱を併用する。プラズマアークトーチ9を無底ルツボ3の内面に沿って水平方向に走査させる。無底ルツボ3内に形成されたシリコン融液19を下降させて凝固させると共に、シリコン融液19への原料供給を続け、シリコン鋳塊12を連続的に製造する。プラズマ加熱の併用により、無底ルツボ3内の溶融シリコンと凝固シリコンの界面が平坦化され、凝固直後のシリコン鋳塊12の半径方向の温度勾配が低減する。
請求項（抜粋）：
シリコン原料を溶解する加熱源として少なくともプラズマアーク加熱を用い、この加熱源により形成した無底ルツボ内のシリコン融液を下方へ降下させて凝固させることにより、無底ルツボからシリコン鋳塊を連続的に取り出すシリコン連続鋳造方法において、無底ルツボ内のシリコン融液上でプラズマアークトーチを水平方向に走査させることを特徴とするシリコン連続鋳造方法。
Fターム (7件)：
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CD02
, 4G077EG01
, 4G077EG25
, 4G077EH06
, 4G077HA20
