特許
J-GLOBAL ID：200903011040211370

可変容量素子及びその製造方法

発明者：
小舘 淳一

小舘 淳一 について

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町田 克之

町田 克之 について

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浦野 正美

浦野 正美 について

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桑原 啓

桑原 啓 について

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寺田 純

寺田 純 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-338807
公開番号（公開出願番号）：特開2006-147995
出願日： 2004年11月24日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：
【課題】MEMS素子である可動部分を備えた可変容量素子を、容易に封止した状態に形成できるようにする。【解決手段】可変容量素子は、シリコンなどの半導体基板101の上に絶縁層102を介して備えられ、固定電極103と、固定電極103の上に所定距離離れて対向配置された板状の可動電極104と、可動電極104に一端が接続された複数のばね梁105と、固定電極103の周囲の絶縁層102の上に形成されてばね梁105の他端に接続する複数のアンカー106とを備える。また、この可変容量素子の外周を取り囲むような形で側壁枠110が形成され、この側壁枠110の上に、天井壁111が形成されている。これら側壁枠110と天井壁111とにより、可変容量素子を取り囲む容器が形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板の上に形成されて、前記半導体基板の上の所望の領域の外周を取り囲むように形成された側壁枠、及び前記側壁枠に支持されて前記半導体基板の面と対向する板状の天井壁から構成された容器構造と、 前記半導体基板の上の前記領域の内部に形成されて前記容器構造の内部に封止された容量素子とを少なくとも備え、 前記容量素子は、 前記半導体基板の上に固定された固定電極と、 前記固定電極の上に所定距離離間して対向配置された板状の可動電極と、 この可動電極を前記半導体基板の上に支持する支持構造体と を少なくとも備え、 前記固定電極及び前記可動電極とで平行平板容量が形成されている ことを特徴とする可変容量素子。
IPC (5件)：
H01G 5/18 ,  B81B 3/00 ,  B81C 1/00 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (4件)：
H01G5/18 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01L27/04 C
Fターム (4件)：
5F038AC20 ,  5F038AV01 ,  5F038AZ09 ,  5F038EZ20
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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