光半導体装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-204245
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051251
出願日： 1994年08月05日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：

【要約】【目的】本発明は、活性層およびガイド層またはその周辺層の結晶性を高めて、発振性能の向上を図る。【構成】 III-V 族化合物半導体からなる半導体基体11上に複数のII-VI 族化合物半導体層12を形成した光半導体装置1 であって、II-VI 族化合物半導体層12のうちのn形伝導のクラッド層22中、またはそのクラッド層22とガイド層24との間に、II-VI 族化合物半導体で形成した超格子23を少なくとも一組以上設けたものである。また、半導体基体11とII-VI 族化合物半導体層12との間に超格子(図示せず)を少なくとも一組以上設けたものである。もしくは、ガイド層24と活性層25との間またはガイド層24中にII-VI 族化合物半導体で形成した超格子(図示せず)が少なくとも一組以上設けたものである。

請求項（抜粋）：

III-V 族化合物半導体からなる半導体基体上に形成した複数のII-VI 族化合物半導体層からなる光半導体装置において、前記II-VI 族化合物半導体層のうちのクラッド層とガイド層との間、または該クラッド層中に、亜鉛,カドミウムおよびマグネシウムのうちの少なくとも1種類とセレン,硫黄およびテルルのうちの少なくとも1種類とからなるII-VI 族化合物半導体で形成した超格子が少なくとも一組以上設けられていることを特徴とする光半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (8件)

レーザダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-250912 出願人：松下電器産業株式会社
特開昭63-245984
特開昭63-240084

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