特許

J-GLOBAL ID：200903011078086359

半導体装置及びその製造方法

発明者： 土谷 政信 ,  松田 哲朗 ,  奥村 秀樹 ,  山下 敦子
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-254467
公開番号（公開出願番号）：特開2006-073740
出願日： 2004年09月01日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：

【課題】 高耐圧化が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】 電力用の半導体装置1は、MOSFETセルが形成されたセル形成部3と、これを囲む終端部5と、を備える。終端部5にはガードリング7が形成されている。外側に位置するガードリング7にしたがって、浅く、幅が小さく、隣り合うガードリングの間隔が大きく、されている。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

終端部とこの終端部で囲まれたセル形成部とを含む半導体層と、 前記セル形成部を囲むように各ガードリングが前記終端部に形成されると共に外側に位置するガードリングにしたがって浅くかつ幅が小さくされている複数のガードリングと、を備える ことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/06 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L29/78 652P ,  H01L29/78 652H ,  H01L29/06 301G ,  H01L29/06 301V ,  H01L29/78 658E

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 高電圧半導体デバイス用集積エッジ構造の製造方法及び該集積エッジ構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-348355   出願人：エスティーマイクロエレクトロニクスエス.アール.エル.
• 縦型MOS半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-310812   出願人：三洋電機株式会社