特許

J-GLOBAL ID：200903011080262997

プラズマ処理装置

発明者： 今福 光祐
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン山梨株式会社
代理人 (1件)： 浅井 章弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-140029
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333849
出願日： 1993年05月19日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】 接地を強化してインピーダンスの安定を早期に図ることができるプラズマ処理装置を提供する。【構成】 相対向させて配置した2つの電極4、6のいずれかに被処理体Wを保持させてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、少なくともいずれか一方の電極の近傍に、絶縁体40を介在させて接地強化用の接地電極42を形成する。これにより、不要な電荷を積極的に吸収してプラズマの安定化を図る。

請求項（抜粋）：

相対向させて配置された2つの電極のいずれか一方に被処理体を保持させると共に前記2つの電極間に高周波電力を印加して前記被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記2つの電極の少なくともいずれか一方の電極の近傍に、前記電極との間に絶縁体を介在させて接地強化用の接地電極を形成するように構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6件)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/34 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-173723
  
• 特開昭57-060073
  
• 特開平2-003914
  
• プラズマCVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-120396   出願人：松下電器産業株式会社