特許

J-GLOBAL ID：200903011082351903

半導体装置の製造方法

発明者： 小栗 裕之 ,  横山 照夫 ,  鈴木 雅久
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-255450
公開番号（公開出願番号）：特開平8-124900
出願日： 1994年10月20日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】 プラズマガスにより半導体層等を選択的にドライエッチングして半導体層等に溝や開口を形成する半導体装置の製造方法に関し、スループットを低下させることなく、寸法精度良く、より微細な溝や開口を形成する。【構成】 第1の開口28を有する無機材料膜24aを被エッチング層23上に形成する工程と、第1の開口28全体の上にあって、第1の開口28よりも開口幅が広い第2の開口32を有する有機材料膜30を無機材料膜24aの表面上に形成する工程と、被エッチング層23とエッチング種との間に電位差を作って第1の開口28を通して被エッチング層23をドライエッチングすることを含む。

請求項（抜粋）：

第1の開口を有する無機材料膜を被エッチング層上に形成する工程と、前記第1の開口全体の上にあって、前記第1の開口よりも開口幅が広い第2の開口を有する有機材料膜を前記無機材料膜の表面上に形成する工程と、前記被エッチング層とエッチング種との間に電位差を作って前記第1の開口を通して前記被エッチング層をドライエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/314

FI (2件)：

H01L 21/302 J ,  H01L 21/302 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-015632
  
• 特開平1-181532
  
• ドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-351306   出願人：ソニー株式会社