特許

J-GLOBAL ID：200903011090847438

強誘電体薄膜素子

発明者： 松永 宏典 ,  木場 正義
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 川口 義雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-231353
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082906
出願日： 1995年09月08日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】 膜特性疲労やリーク電流発生が少なく、かつ強誘電体との密着性の良い電極材料を備えた強誘電体薄膜素子を提供する。【解決手段】 Bi系層状ペロブスカイト結晶構造を有する強誘電体薄膜5を備える強誘電体薄膜素子において、Biを含む酸化物電極4を用いる事により、強誘電体5と電極4の界面の仕事関数の差を小さくすると共に、強誘電体と電極との膨脹係数の差による膜中残留応力の発生が抑制される。

請求項（抜粋）：

基板上に下部電極層と強誘電体薄膜と上部電極層とを順番に備える強誘電体薄膜素子であって、前記下部電極層及び前記上部電極層の少なくとも一方が前記強誘電体薄膜を構成する元素を少なくとも一つ含む酸化物導電体からなることを特徴とする強誘電体薄膜素子。

IPC (11件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01G 4/33 ,  H01G 4/12 397 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 37/02 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/22

FI (8件)：

H01L 27/10 651 ,  H01G 4/12 397 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 37/02 ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 41/18 101 Z ,  H01L 41/22 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ルテニウム酸塩電極を有するコンデンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-119265   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
• 強誘電体容量素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-235330   出願人：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション