半導体装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-368077
公開番号（公開出願番号）：特開2003-168640
出願日： 2001年12月03日
公開日（公表日）： 2003年06月13日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】位相シフトマスクとトリムマスクを用いた多重露光において、微細なパターンを寸法精度よく製造する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】位相シフトマスクで形成する微細線パターンと一定範囲内で隣接するシフタパターンの位相が、互いに反転する位相を割り当てるようにし、好ましくは、位相エッジで形成する微細線パターンを中央に挟んで、少なくとも四つのシフターパターンを設け、隣接したシフターパターン同士は必ず逆位相になるように配置して達成する。

請求項（抜粋）：

微細線パターンを含む回路パターンを、ほぼ反転する二種類の位相のいづれかが割り当てられた位相シフト開口部と遮光部とからなる第一の位相シフトマスクと、透光部と遮光部を含む第二のマスクを半導体基板上の同一レジスト膜のほぼ同一位置に多重露光して形成する半導体装置の製造方法において、上記微細線パターンは上記レジスト膜の、マスク上で位相反転する一対の位相シフト開口部に挟まれる領域に対応する領域に形成され、上記微細線パターンから、上記線パターンと垂直な方向の所定距離内で互いに隣接する全ての位相シフト開口部の間の位相が互いにほぼ反転していることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , G03F 1/08 , G03F 7/20 521 , H01L 21/82

FI (6件)：

G03F 1/08 A , G03F 1/08 S , G03F 7/20 521 , H01L 21/30 514 A , H01L 21/30 502 P , H01L 21/82 C

Fターム (24件)：

2H095BB01 , 2H095BB03 , 2H095BB34 , 2H095BD02 , 5F046AA13 , 5F046AA20 , 5F046AA25 , 5F046BA03 , 5F046CB17 , 5F046DA12 , 5F064BB05 , 5F064CC10 , 5F064CC12 , 5F064DD04 , 5F064EE03 , 5F064EE09 , 5F064EE14 , 5F064EE23 , 5F064EE36 , 5F064GG03 , 5F064GG10 , 5F064HH01 , 5F064HH06 , 5F064HH14

引用特許：

審査官引用 (2件)

露光方法、露光装置、およびデバイス製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-157837 出願人：キヤノン株式会社
半導体装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-286284 出願人：株式会社日立製作所

前のページに戻る