半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-286284
公開番号（公開出願番号）：特開2000-112114
出願日： 1998年10月08日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】光の回折やレジスト現像、エッチング時のマイクロローディング効果等による近接効果により、ゲート寸法が変動し、半導体装置の性能が劣化する。【解決手段】ゲート長方向のシフター幅が一定の位相シフトマスクを用いて露光して、位相シフトマスクのシフターエッジの一部分に、設計されたゲートパターンを形成し、シフターエッジ位置の残りの部分に、デバイス構造的にはゲートと同一であるが回路上の機能を持たないダミーゲートパターンを、上記ゲートパターンから分離して設けることにより、全てのゲートパターン及びダミーゲートパターン間の最小距離を、ゲート末端部、角部を除いてほぼ一定とする。【効果】簡便なマスク処理により、全てのゲートパターンの周辺配置状況を等価とすることができ、光の回折やマイクロローデイング効果が一定となるため、ゲート長のバラツキを抑えた高性能の半導体装置を実現することができる。

請求項（抜粋）：

トランジスタのゲートパターンの周辺に、回路上の機能を持たないダミーゲートパターンを、回路上の機能を有するゲートパターンに一定の距離を隔てて隣接し、ゲートパターンと隣接するゲートパターン又はダミーゲートパターンまでの最小距離を、ゲート末端部、角部を除いて実質的に一定に配置することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

G03F 1/08 , G03F 7/20 521 , H01L 21/027 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (5件)：

G03F 1/08 A , G03F 7/20 521 , H01L 21/30 502 P , H01L 21/30 528 , H01L 27/08 321 J

Fターム (17件)：

2H095BA02 , 2H095BB02 , 2H095BB03 , 5F046AA25 , 5F046BA04 , 5F046BA07 , 5F046BA08 , 5F046CB17 , 5F048AA01 , 5F048AA07 , 5F048AB03 , 5F048AC03 , 5F048BB03 , 5F048BB05 , 5F048BB09 , 5F048BB13 , 5F048DA23

引用特許：

審査官引用 (13件)

半導体装置及びその製造方法及び半導体基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-011937 出願人：株式会社東芝
特開平2-037725
ホトマスク及びこれを用いたパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-014147 出願人：沖電気工業株式会社

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