特許

J-GLOBAL ID：200903011095429499

半導体装置及びその製造方法

発明者： 小川 智弘
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 宮越 典明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-235379
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066283
出願日： 1993年08月28日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】 トランジスタのベ-ス領域等に自己整合的に浅い溝(第2の溝12)を形成することにより、外部ベ-ス領域20の寄生容量を大幅に低減し、素子を高速化する半導体装置及びその製造方法を提供すること。【構成】 半導体装置(バイポ-ラ型デバイス)において、半導体層上に絶縁膜を有し、この絶縁膜に開口を有し、該開口に沿った半導体層表面に、開口と自己整合的に形成され、かつリソグラフィ最小幅よりも狭い環状の溝(第2の溝12)を有する。【効果】 本発明の半導体装置における接合容量は、従来の半導体装置に比べて半分以下になり、素子の高速性能が向上し、また、素子の小型化、寄生容量低減が可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主面上に第1の絶縁膜を有し、前記第1の絶縁膜に第1の開口を有し、前記第1の開口内周に沿った前記半導体基板内に環状の溝を有し、前記溝の中に埋設物を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/76 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (3件)：

H01L 21/76 L ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/72

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-191043
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-259747   出願人：三星電子株式会社
• 特開昭60-038832
  
• 特開平2-015637