特許
J-GLOBAL ID:200903011096541071

単層及び多層の可変電圧保護装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 杉村 暁秀 (外6名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-505148
公開番号(公開出願番号):特表平10-503054
出願日: 1995年07月14日
公開日(公表日): 1998年03月17日
要約:
【要約】電子装置の可変電圧保護装置を開示する。一態様において、この可変電圧保護装置は、過電圧を防護するため、接地面(14)と導体(10)との間に位置し、導電粒子、又は半導電粒子を含まないニート誘電ポリマー、ガラス、又はセラミックの薄い層(12)を具える。また、導電粒子、半導電粒子、又は絶縁粒子を含む結合剤を有する通常の可変電圧保護材料(13)にニート誘電ポリマー、ガラス、又はセラミックの薄い層(12)を組み合わせた装置を開示する。過電圧保護材料の3層(15、16、17)を具える多層可変電圧保護構成部分を開示する。この構成部分は、2個の外層が導電粒子、半導電粒子、及び/又は絶縁粒子を低いパーセントで含み、内層が導電粒子、半導電粒子、及び/又は絶縁粒子を高いパーセントで含む。この多層可変電圧保護構成部分をニート誘電ポリマー、ガラス、又はセラミックの層(12、12′)に組み合わせて任意に使用することができ、また、この多層可変電圧保護構成部分は介挿した金属層(18、18′)を任意に有することができる。結合剤と混合する前に、コロイド絶縁粒子、及び導電粒子、半導電粒子、又は絶縁粒子の設置のため揮発性溶剤を使用して、コロイド絶縁粒子、及び導電粒子、半導電粒子、及び/又は絶縁粒子を分散させる方法を開示する。
請求項(抜粋):
接地面と、 この接地面の一方の表面に接触するニート誘電ポリマー、又はガラス、又はセラミックの層と、 ニート誘電ポリマー、又はガラス、又はセラミックの前記層に接触する電子装置の少なくとも1個の導体とを具える可変電圧保護装置において、 前記層が前記接地面と前記導体との間に位置していてこれ等接地面と導体とに接触しており、前記層が約0.0406mm(1.6ミル)より薄いニート誘電ポリマー層から実質的に成るか、約0.127mm(5 ミル)より薄いニート誘電ガラス層、又はセラミック層から実質的に成ることを特徴とする可変電圧保護装置。
IPC (2件):
H01C 7/12 ,  H02H 9/04
FI (2件):
H01C 7/12 ,  H02H 9/04 A
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (8件)
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